[发明专利]用于将蚀刻层蚀刻的方法在审
| 申请号： | 201980072844.8 | 申请日： | 2019-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN112997282A | 公开（公告）日： | 2021-06-18 |
| 发明（设计）人： | 尼基尔·多乐;柳川拓海 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/3065;H01L21/324;H01L21/02;H01L21/67;H01J37/32;H05H1/46 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 李献忠;张华 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
提供了一种在堆叠件中蚀刻特征的方法，所述堆叠件包括在衬底上的介电材料。在步骤(a)中，由蚀刻气体产生蚀刻等离子体，将所述堆叠件暴露于所述蚀刻等离子体，并且部分地蚀刻所述堆叠件中的特征。在步骤(b)中，在步骤(a)之后提供原子层沉积工艺以在侧壁上沉积保护膜。所述原子层沉积工艺包括多个循环，其中每个循环包括：将所述堆叠件暴露于包含WF |
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| 搜索关键词： | 用于 蚀刻 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
