[发明专利]含钼薄膜的制造方法以及通过其制造的含钼薄膜有效
| 申请号： | 201980074082.5 | 申请日： | 2019-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN112969814B | 公开（公告）日： | 2023-04-11 |
| 发明（设计）人： | 金铭云;李相益;徐章祐;全相勇;林幸墩 | 申请（专利权）人： | DNF有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/32 | 分类号： | C23C16/32;C23C16/18;C23C16/455;C23C16/02;C23C16/56 |
| 代理公司： | 北京汇思诚业知识产权代理有限公司 11444 | 代理人： | 刘晔;葛强 |
| 地址： | 韩国大田广*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供含钼薄膜的制造方法以及通过其制造的含钼薄膜，本发明的含钼薄膜的制造方法使用钼(0)基碳氢化合物和特定反应气体，从而能够通过简单的工艺容易地制造高纯度薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 制造 方法 以及 通过 | ||
【主权项】：
暂无信息
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
