[发明专利]用于图像传感器的基板在审
| 申请号： | 201980076436.X | 申请日： | 2019-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN113169196A | 公开（公告）日： | 2021-07-23 |
| 发明（设计）人： | 朴德勋;白智钦;孙荣晙 | 申请（专利权）人： | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H04N5/232;H04N5/225;H05K1/18 |
| 代理公司： | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人： | 李琳;陈英俊 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 根据实施例的用于图像传感器的基板包括：绝缘层；以及设置在绝缘层上的导电图案部，其中，绝缘层包括：第一绝缘部；第二绝缘部，其包围第一绝缘部并与第一绝缘部间隔开，并且在第一绝缘部与第二绝缘部之间具有开口区域，导电图案部包括：第一引线图案部，其设置在第一绝缘部上；第二引线图案部，其设置在第二绝缘部上；以及延伸图案部，其设置在绝缘层的开口区域上以将第一引线图案部与第二引线图案部连接并且包括弯曲部。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 图像传感器 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
