[发明专利]半导体激光器和半导体激光器的制造方法在审
申请号: | 201980076702.9 | 申请日: | 2019-11-11 |
公开(公告)号: | CN113056850A | 公开(公告)日: | 2021-06-29 |
发明(设计)人: | 彼得·扬德 | 申请(专利权)人: | 奥斯兰姆奥普托半导体股份有限两合公司 |
主分类号: | H01S5/0225 | 分类号: | H01S5/0225 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 徐丽华 |
地址: | 德国雷*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 在实施方式中半导体激光器(1)包括壳体(2),其中封装有多个激光二极管芯片(31、32、33)。壳体(2)包括盖板(23)和/或侧壁(20),盖板和/或侧壁对于产生的激光辐射(41、42、43)是能穿过的。盖板(23)和/或侧壁(20)具有带有彼此并排布置的出射区域(61、62、63)的光出射面(24)。每个出射区域(61、62、63)关联激光二极管芯片(31、32、33)中的恰好一个。光出射平面(26)布置在光出射面(24)下游。盖板(23)和/或侧壁(20)在出射区域(61、62、63)中具有不同的平均厚度,使得所有激光二极管芯片(31、32、33)的激光辐射到光出射平面(26)的光学路径长度都是相等的且具有最高为1.5的公差。 | ||
搜索关键词: | 半导体激光器 制造 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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