[发明专利]使用外延半导体沟道和掩埋源极线的三维存储器器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201980079333.9 | 申请日： | 2019-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN113169179A | 公开（公告）日： | 2021-07-23 |
| 发明（设计）人： | A·拉贾谢哈尔;周非;R·沙朗帕尼;R·S·马卡拉 | 申请（专利权）人： | 桑迪士克科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/11556 | 分类号： | H01L27/11556;H01L27/1158;H01L27/11524;H01L27/1157;H01L27/11582;H01L21/28;H01L29/792 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 马爽;臧建明 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种三维存储器器件，该三维存储器器件包括：绝缘层和导电层的交替堆叠，该交替堆叠位于单晶半导体层上方；单晶外延源极半导体层，该单晶外延源极半导体层位于该单晶半导体层与该交替堆叠之间并且与该单晶半导体层外延对准；和存储器堆叠结构，该存储器堆叠结构竖直延伸穿过该交替堆叠并且包括存储器膜和外延竖直半导体沟道，该外延竖直半导体沟道包括在界面处与该外延源极半导体层外延对准的单晶半导体材料。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 外延 半导体 沟道 掩埋 源极线 三维 存储器 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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