[发明专利]非易失性存储器的位线升压在审
| 申请号： | 201980081403.4 | 申请日： | 2019-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN113168873A | 公开（公告）日： | 2021-07-23 |
| 发明（设计）人： | 杨翔;权大元 | 申请（专利权）人： | 桑迪士克科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G11C16/24 | 分类号： | G11C16/24;G11C16/32;G11C16/08;G11C16/04 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 马爽;臧建明 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明描述了一种方法和结构，该方法和结构用于在非易失性存储器中的编程操作期间进行位线升压。以恒定电流在第一预充电时间段内驱动禁止位线。将编程位线升压延迟第二预充电时间段，同时继续驱动禁止位线以考虑禁止位线上的电阻电容(RC)延迟。此后，在第二时间段结束时将编程位线升压到编程电压电平。对位线的远离位线的驱动端的远端处的信号电平进行感测，以确定禁止位线何时达到电平(例如，VDDSA)或电流限制被关断的电平。此后，可执行位线升压。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 升压 | ||
【主权项】：
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