[发明专利]光电子半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201980085245.X | 申请日： | 2019-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN113302753A | 公开（公告）日： | 2021-08-24 |
| 发明（设计）人： | 马丁·贝林格;亚历山大·通基赫;坦森·瓦尔盖斯 | 申请（专利权）人： | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/00;H01L33/24 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 张春水;支娜 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种光电子半导体器件(10)具有有源区(120)，所述有源区包含用于构成量子阱结构的子层(111、112、113)。在此，在量子阱结构之内的能量级差在光电子半导体器件(10)的中央区域(14)中比在光电子半导体器件(10)的边缘区域(15)中更小。根据其他实施方式，光电子半导体器件(10)具有有源区(120)，所述有源区包含适合于构成量子阱结构的子层。在此，在有源区(120)中在光电子半导体器件的中央区域(14)中构成量子点结构(122)。在光电子半导体器件(10)的边缘区域(15)中不构成量子点结构。 | ||
| 搜索关键词： | 光电子 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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