[发明专利]基板分析方法及基板分析装置在审
申请号: | 201980086331.2 | 申请日: | 2019-11-06 |
公开(公告)号: | CN113287193A | 公开(公告)日: | 2021-08-20 |
发明(设计)人: | 川端克彦;李晟在;林匠马 | 申请(专利权)人: | 埃耶士株式会社 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;G01N1/28 |
代理公司: | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人: | 程伟;王锦阳 |
地址: | 日本东京都国立市*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种可更简易且迅速地分析基板端部的分析技术。本发明的基板分析方法,是利用基板分析用的喷嘴的基板分析方法,该基板分析用的喷嘴从前端送出分析液,并且以所送出的分析液扫描基板表面之后利用抽吸分析液,该基板分析方法在与喷嘴的前端相对向的位置,配置用以承接被送出的分析液的液承接板,且将从前端送出的分析液保持在喷嘴的前端与液承接板之间,且在喷嘴的前端与液承接板之间,以可插入基板端部的方式对基板进行位置调整,并且使基板端部接触于保持在喷嘴的前端与液承接板之间的分析液,且在基板端部接触于分析液的状态下,使喷嘴及液承接板沿着基板的周缘同时地移动,以分析基板端部。 | ||
搜索关键词: | 分析 方法 装置 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于埃耶士株式会社,未经埃耶士株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201980086331.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造