[发明专利]形成具有低加工损伤的高碳含量可流动电介质膜在审
| 申请号： | 201980089320.X | 申请日： | 2019-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN113454764A | 公开（公告）日： | 2021-09-28 |
| 发明（设计）人： | S.阮;B.布里格斯;H.肖布哈;D.西尔;T.J.小海格;D.F.卡纳佩里;游汉;高徽 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/312 | 分类号： | H01L21/312;H01L21/288;H01L23/532 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 兰恭滨;宋莉 |
| 地址： | 美国纽*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种制造电介质膜的方法，包括在衬底上沉积第一前体。所述第一前体包括包含六元环的环状碳硅氧烷基。所述方法还包括在所述衬底上沉积第二前体。所述第一前体与所述第二前体在所述衬底上形成预备膜，并且所述第二前体包含硅、碳与氢。所述方法还包括将所述预备膜暴露于来自能量源的能量以形成多孔电介质膜。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 具有 加工 损伤 含量 流动 电介质 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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