[发明专利]制造屏蔽栅极沟槽MOSFET装置的方法在审
| 申请号： | 201980093293.3 | 申请日： | 2019-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN113519054A | 公开（公告）日： | 2021-10-19 |
| 发明（设计）人： | Y.哈姆扎 | 申请（专利权）人： | 艾鲍尔半导体 |
| 主分类号： | H01L27/088 | 分类号： | H01L27/088;H01L29/08;H01L29/10;H01L29/40 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邱军 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了一种屏蔽栅极沟槽MOSFET装置结构。该装置结构包括在覆盖n+硅衬底的n型外延硅层中形成的MOS栅极沟槽和p体接触沟槽。每个MOS栅极沟槽包括栅极沟槽堆叠体，该栅极沟槽堆叠体具有由中间多晶硅氧化物(IPO)层与上n+栅极多晶硅层分离的下n+屏蔽多晶硅层。IPO层可以通过沉积硅氧化物层或热生长具有最小厚度变化的多晶硅氧化物层来形成。该方法用于在自对准或非自对准的屏蔽栅极沟槽MOSFET装置制造中形成MOS栅极沟槽和p体接触沟槽两者。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 屏蔽 栅极 沟槽 mosfet 装置 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
