[发明专利]具有支石墓结构的半导体装置及其制造方法、支撑片的制造方法、以及支撑片形成用层叠膜在审
| 申请号： | 201980094030.4 | 申请日： | 2019-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN113632225A | 公开（公告）日： | 2021-11-09 |
| 发明（设计）人： | 桥本慎太郎;谷口纮平;矢羽田达也;尾崎義信 | 申请（专利权）人： | 昭和电工材料株式会社 |
| 主分类号： | H01L25/065 | 分类号： | H01L25/065;H01L25/07;H01L25/18 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 白丽 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种支撑片的制造方法，其为在具有支石墓结构的半导体装置的制造工艺中所使用的支撑片的制造方法，所述半导体装置包括：基板；第一芯片，配置于基板上；多个支撑片，配置于基板上且第一芯片的周围；以及第二芯片，由多个支撑片支撑且配置成覆盖第一芯片，所述支撑片的制造方法包括：(A)准备层叠膜的工序，所述层叠膜依次具备基材膜、压敏胶黏层、及具有至少包含金属层的多层结构的支撑片形成用膜；(B)通过将支撑片形成用膜单片化，而在压敏胶黏层的表面上形成多个支撑片的工序；以及(C)从压敏胶黏层拾取支撑片的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 支石墓 结构 半导体 装置 及其 制造 方法 支撑 以及 形成 层叠 | ||
【主权项】：
暂无信息
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