[发明专利]一种半导体结构的制备方法有效
| 申请号： | 201980096456.3 | 申请日： | 2019-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN113826212B | 公开（公告）日： | 2023-02-17 |
| 发明（设计）人： | 程凯 | 申请（专利权）人： | 苏州晶湛半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778 |
| 代理公司： | 北京布瑞知识产权代理有限公司 11505 | 代理人： | 宋琪 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市苏州工*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了一种半导体结构的制备方法，通过选择性外延生长的方法，不需要对n型半导体层以及p型半导体层刻蚀，避免了刻蚀深度无法控制、刻蚀表面损伤等问题；有效减少栅极漏电，保持沟道区域低电阻，抑制电流崩塌，提高器件可靠性、稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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