[发明专利]柱状半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201980101805.6 | 申请日： | 2019-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN114762127A | 公开（公告）日： | 2022-07-15 |
| 发明（设计）人： | 舛冈富士雄;原田望 | 申请（专利权）人： | 新加坡优尼山帝斯电子私人有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/8238;H01L21/8244;H01L27/092;H01L27/11;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 新加坡179098柏*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 接触Ta柱(47a)的底部与N+层(3a)、P+层(4a)相连，栅极HfO2层(36)与Si柱(6a、6c)及接触Ta柱(47a)的侧面及Si柱(6a、6c)与接触Ta柱(47a)间的SiO2层(35)上表面相连。在包围Si柱(6a、6c)的栅极HfO2层(36)的侧面有栅极TiN层(37a、37b)。另外，Si柱(6a、6c)、接触Ta柱的中点从平面图看时为在一条第一线上。 | ||
| 搜索关键词： | 柱状 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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