[发明专利]三维存储器、制备方法及电子设备

摘要

本发明提供一种三维存储器、制备方法及电子设备，三维存储器包括栅叠层结构、共源极、顶部选择栅切线及沟道，通过将顶部选择栅切线自栅叠层结构的上表面向内延伸，并在相邻的共源极之间形成至少2个顶部选择栅切线，且交错排布，在相邻的顶部选择栅切线中，位于上方的顶部选择栅切线与位于下方的顶部选择栅切线与同一绝缘层接触，以在横向上，使得相邻的栅缝隙间仅具有1个顶部选择栅切线，从而可基于栅缝隙有效去除牺牲层，制备高集成度、高存储容量的三维存储器。