[发明专利]膜层结构、膜层结构沉积方法及设备在审

专利信息
申请号: 202010002255.7 申请日: 2020-01-02
公开(公告)号: CN111139451A 公开(公告)日: 2020-05-12
发明(设计)人: 左明光 申请(专利权)人: 长江存储科技有限责任公司
主分类号: C23C16/14 分类号: C23C16/14;C23C16/455;C23C16/44;H01L21/02
代理公司: 北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙) 11479 代理人: 陈敏
地址: 430074 湖北省武*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明提供一种膜层结构、膜层结构沉积方法及设备,膜层结构沉积方法包括如下步骤:提供一批次基底;及采用原子层沉积工艺同时于该批次基底上沉积膜层结构。本发明的膜层结构沉积方法通过采用原子沉积工艺同时于一批次基底上沉积膜层结构,在保证产能的前提下,可以在每个沉积周期中均有足够的时间进行通气及吹扫,每个沉积周期中具有足够的时间完成吸附和排气以实现充分的原子沉积,可以降低膜层结构中的正应力,减少膜层结构中的F含量,降低膜层结构的电阻率,提高膜层结构的良率。
搜索关键词: 结构 沉积 方法 设备
【主权项】:
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