[发明专利]膜层结构、膜层结构沉积方法及设备在审
申请号: | 202010002255.7 | 申请日: | 2020-01-02 |
公开(公告)号: | CN111139451A | 公开(公告)日: | 2020-05-12 |
发明(设计)人: | 左明光 | 申请(专利权)人: | 长江存储科技有限责任公司 |
主分类号: | C23C16/14 | 分类号: | C23C16/14;C23C16/455;C23C16/44;H01L21/02 |
代理公司: | 北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙) 11479 | 代理人: | 陈敏 |
地址: | 430074 湖北省武*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明提供一种膜层结构、膜层结构沉积方法及设备,膜层结构沉积方法包括如下步骤:提供一批次基底;及采用原子层沉积工艺同时于该批次基底上沉积膜层结构。本发明的膜层结构沉积方法通过采用原子沉积工艺同时于一批次基底上沉积膜层结构,在保证产能的前提下,可以在每个沉积周期中均有足够的时间进行通气及吹扫,每个沉积周期中具有足够的时间完成吸附和排气以实现充分的原子沉积,可以降低膜层结构中的正应力,减少膜层结构中的F含量,降低膜层结构的电阻率,提高膜层结构的良率。 | ||
搜索关键词: | 结构 沉积 方法 设备 | ||
【主权项】:
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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