[发明专利]半导体结构及其制备方法有效
| 申请号： | 202010003725.1 | 申请日： | 2020-01-03 |
| 公开（公告）号： | CN113078113B | 公开（公告）日： | 2023-01-31 |
| 发明（设计）人： | 吴秉桓 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H10B12/00 | 分类号： | H10B12/00 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 史治法 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体结构的制备方法，具体包括以下步骤：提供基底；于基底内形成侧壁衬垫及栅极沟槽，侧壁衬垫位于栅极沟槽的外围；于栅极沟槽内形成栅极结构，栅极结构包括导电层，导电层位于栅极沟槽内；导电层的顶部高于侧壁衬垫的底部且低于侧壁衬垫的顶部。由于侧壁衬垫位于栅极沟槽的外围，因此在栅极沟槽内形成栅极结构时，填充导电层材料不会因为侧壁衬垫而影响到导电层的填充，也不会因为需要在生成侧壁衬垫后在补齐导电层而增加导电层的阻值，在栅极沟槽外围形成侧壁衬垫使得栅极沟槽内栅极结构的形成不受到侧壁衬垫的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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