[发明专利]用于半导体器件的泄漏分析的方法和系统在审
| 申请号： | 202010005292.3 | 申请日： | 2020-01-03 |
| 公开（公告）号： | CN111444669A | 公开（公告）日： | 2020-07-24 |
| 发明（设计）人： | 刘振华;林运翔;侯元德;王中兴 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G06F30/398 | 分类号： | G06F30/398 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 方法用于计算半导体器件中的边界泄漏。检测第一单元和第二单元之间的边界，该第一单元和第二单元在该边界周围彼此邻接。识别与第一单元和第二单元的单元边缘相关联的属性。基于与第一单元和第二单元的单元边缘相关联的属性来识别单元邻接情况。基于与单元邻接情况相关联的泄漏电流值和与单元邻接情况相关联的泄漏概率来计算第一单元和第二单元之间的预期边界泄漏。本发明的实施例还涉及用于半导体器件的泄漏分析的方法和系统。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体器件 泄漏 分析 方法 系统 | ||
【主权项】：
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