[发明专利]晶边刻蚀设备及晶边刻蚀方法在审
| 申请号： | 202010006272.8 | 申请日： | 2020-01-03 |
| 公开（公告）号： | CN111048452A | 公开（公告）日： | 2020-04-21 |
| 发明（设计）人： | 周永平;宋冬门 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 王晓玲 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种晶边刻蚀设备及晶边刻蚀方法。该晶边刻蚀设备包括基台、湿法刻蚀组件和阻挡部件，基台具有上表面，用于放置晶圆；湿法刻蚀组件位于基台的一侧，湿法刻蚀组件具有至少一个第一喷口，用于向晶圆边缘喷射腐蚀液以进行刻蚀；阻挡部件设置于湿法刻蚀组件的一侧，用于阻挡腐蚀液向晶圆表面溅射。采用上述晶边刻蚀设备对晶圆边缘进行刻蚀，在HF酸等腐蚀液喷射至晶圆边缘的同时，能够通过上述阻挡部件阻挡腐蚀液溅射到晶圆表面，从而有效地防止了腐蚀液溅射导致的晶圆表面缺陷的产生。 | ||
| 搜索关键词： | 刻蚀 设备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
