[发明专利]沟槽栅MOSFET功率半导体器件及其多晶硅填充方法和制造方法有效
| 申请号： | 202010007896.1 | 申请日： | 2020-01-02 |
| 公开（公告）号： | CN111403282B | 公开（公告）日： | 2022-01-04 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 杭州士兰微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯 |
| 地址： | 310012*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了沟槽栅MOSFET功率半导体器件及其多晶硅填充方法和制造方法。该填充方法包括：在半导体衬底上的外延层中形成沟槽；在所述外延层表面和沟槽中形成绝缘层，所述绝缘层围绕沟槽形成空腔；在所述外延层表面和所述空腔中形成第i多晶硅层；对所述第i多晶硅层进行回蚀刻；在暴露出的所述第i多晶硅层内部的空洞或缝隙上形成第i+1多晶硅层；去除位于所述外延层表面上方的所述第i+1多晶硅层和位于所述外延层表面上方的所述绝缘层，所述第i多晶硅层至所述第i+1多晶硅层形成屏蔽导体。本申请在沟槽中形成多个多晶硅层以消除空洞或缝隙，从而可以提高功率半导体器件的良率、可靠性和延长寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 mosfet 功率 半导体器件 及其 多晶 填充 方法 制造 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
