[发明专利]三维半导体存储器装置及操作其的方法在审
| 申请号： | 202010008983.9 | 申请日： | 2020-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN111724850A | 公开（公告）日： | 2020-09-29 |
| 发明（设计）人： | 金森宏治;金容锡;李炅奂;林濬熙 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/04 | 分类号： | G11C16/04;G11C16/08;G11C16/34 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 刘灿强;张川绪 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供三维半导体存储器装置及操作其的方法。一种三维半导体存储器装置包括多个字线块，所述多个字线块包括并联连接在位线与共源极线之间的多个单元串。所述多个单元串中的每个包括：多个存储器单元晶体管，沿垂直方向堆叠在基底上；多个地选择晶体管，串联连接在所述多个存储器单元晶体管与基底之间；以及串选择晶体管，位于所述多个存储器单元晶体管与位线之间。在所述多个单元串中的每个中，所述多个地选择晶体管中的至少一个具有第一阈值电压，并且所述多个地选择晶体管中的其余的地选择晶体管具有与第一阈值电压不同的第二阈值电压。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 半导体 存储器 装置 操作 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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