[发明专利]一种基准电路芯片温度系数的测试方法在审
| 申请号： | 202010010397.8 | 申请日： | 2020-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN111190452A | 公开（公告）日： | 2020-05-22 |
| 发明（设计）人： | 王红义;王竞成;惠静妮;黄碧云;刘沛;张国和 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | G05F1/567 | 分类号： | G05F1/567 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 孟大帅 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基准电路芯片温度系数的测试方法，包括以下步骤：步骤1，将保护二极管反偏设置，使得基准电路芯片正常工作；在室温下测试基准电路芯片的输出电压；步骤2，将保护二极管正偏设置，通过保护二极管加热基准电路芯片至预设温度；将保护二极管反偏设置，使得基准电路芯片正常工作，测试预设温度下基准电路芯片的输出电压，绘制获得输出电压温度系数曲线；其中，预设温度的取值范围为27℃～85℃。本发明测试方法简单，对测试仪器要求较低，测试结果可靠性高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基准 电路 芯片 温度 系数 测试 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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