[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202010010419.0 | 申请日： | 2020-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN113078216A | 公开（公告）日： | 2021-07-06 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，提供衬底；在所述衬底上形成若干沟道柱；在每个所述沟道柱上形成外延层，相邻所述沟道柱上的外延层连接。在本发明的技术方案中，通过在每个沟道柱上形成外延层，且相邻所述沟道柱上的外延层连接，形成较大的接触面积，后续通过在相互连接的所述外延层上形成第一导电结构，能够减小所述第一导电结构与所述外延层之间的接触电阻，进而有效提升了最终形成的半导体结构的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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