[发明专利]非易失性半导体存储装置在审
| 申请号： | 202010013640.1 | 申请日： | 2020-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN112447231A | 公开（公告）日： | 2021-03-05 |
| 发明（设计）人： | 渡邉稔史;安彦尚文 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/08 | 分类号： | G11C16/08;G11C16/10;G11C16/24;G11C16/26;G11C5/14 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 杨林勳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 实施方式提供一种能够实现高速动作的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备：存储单元；字线，连接于存储单元；源极线，连接于存储单元；位线，连接于存储单元；感测放大器，连接于存储单元；以及控制电路；在存储单元的读出动作中，控制电路构成为，对字线施加第1电压，在施加了第1电压之后，施加大于第1电压的第2电压，在施加了第2电压之后，施加大于第1电压且小于第2电压的第3电压，相应于对字线施加第2电压的时序而对源极线施加第4电压，在施加了第4电压之后，施加小于第4电压的第5电压，在施加了第5电压之后，施加大于第5电压的第6电压，相应于对源极线施加第4电压的时序而对感测放大器施加第7电压。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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