[发明专利]一种高质量大尺寸单晶金刚石外延生长的方法有效
| 申请号： | 202010015169.X | 申请日： | 2020-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN111206280B | 公开（公告）日： | 2021-02-12 |
| 发明（设计）人： | 李成明;郑宇亭;邵思武;朱肖华;刘金龙;魏俊俊;陈良贤 | 申请（专利权）人： | 北京科技大学 |
| 主分类号： | C30B29/04 | 分类号： | C30B29/04;C30B25/18 |
| 代理公司： | 北京市广友专利事务所有限责任公司 11237 | 代理人： | 张仲波 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种高质量大尺寸单晶金刚石外延生长的方法，属于半导体材料制备领域。所述方法是将马赛克拼接生长的大尺寸单晶金刚石片通过精密抛光将表面粗糙度降至低于0.2nm。随后采用电子束蒸发在以100‑500℃加热衬底的同时在其表面以0.01nm/s‑0.1nm/s的速度沉积厚度为100nm‑200nm金属镍后再以0.01nm/s‑0.5nm/s的速度沉积金属铱。待铱厚度达到15nm‑40nm后提高加衬底热温度至700‑1000℃的同时加快沉积速度至0.5nm/s‑1nm/s，最终沉积总厚度为150nm‑300nm铱薄层。接着采用等离子体化学气相沉积技术在氢等离子体清洗铱表面后预沉积4‑10nm无定型碳层以促进铱薄层亚表面碳原子富集。最后在对衬底以纯氢等离子刻蚀6‑15s后调控负偏压和甲烷通量实现大尺寸单晶金刚石在铱表面的偏压原位形核及后续无偏压外延生长。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 质量 尺寸 金刚石 外延 生长 方法 | ||
【主权项】：
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