[发明专利]阵列基板的制备方法及阵列基板在审
| 申请号： | 202010015182.5 | 申请日： | 2020-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN111081633A | 公开（公告）日： | 2020-04-28 |
| 发明（设计）人： | 吕晓文 | 申请（专利权）人： | TCL华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L27/12 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 刁文魁 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供一种阵列基板的制备方法及阵列基板，该制备方法包括依次在基板上形成图案化的第一金属层、绝缘层、第一半导体层、第二半导体层和第二金属层，所述第一半导体层的材料为非晶硅或低温多晶硅，所述第二半导体层的材料为金属氧化物或低温多晶硅；其中，位于所述非显示区的所述图案化的第一金属层、所述绝缘层和所述图案化的第二金属层，以及所述图案化的第一半导体层形成GOA驱动电路；位于所述显示区的所述图案化的第一金属层、所述绝缘层和所述图案化的第二金属层，以及所述图案化的第二半导体层形成像素电路。本申请在提高8K 120Hz显示面板像素充电率的同时，提高了GOA驱动电路中薄膜晶体管器件的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 阵列 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
