[发明专利]发光装置、光学装置、光测量装置以及图像形成装置在审
申请号: | 202010016735.9 | 申请日: | 2020-01-08 |
公开(公告)号: | CN111564463A | 公开(公告)日: | 2020-08-21 |
发明(设计)人: | 近藤崇;大塚勤;皆见健史;逆井一宏 | 申请(专利权)人: | 富士施乐株式会社 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/00;G01B11/24;G01S7/481;G01S17/10;G09G3/32 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 杨文娟;臧建明 |
地址: | 日本东京*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供发光装置、光学装置、光测量装置以及图像形成装置。本发明提供一种发光装置等,与加大发光元件的发光点的尺寸的情况相比,能够抑制发光特性受损而加大光输出。发光装置包括发光部,所述发光部是将分别具有多个发光元件的多个发光元件群排列而成,所述发光部是沿着所述排列而在所述多个发光元件群的每一个中,所述发光元件群中所含的多个发光元件并列而被依序设定为发光或非发光的状态。 | ||
搜索关键词: | 发光 装置 光学 测量 以及 图像 形成 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的