[发明专利]用于相对于较少掺杂二氧化硅选择性移除较多掺杂二氧化硅的方法在审
| 申请号： | 202010018771.9 | 申请日： | 2020-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN111834215A | 公开（公告）日： | 2020-10-27 |
| 发明（设计）人： | J·A·伊莫尼吉;R·I·文卡塔纳拉亚南;P·P·夏尔马;E·E·克龙;S·萨普拉 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L49/02;C09K13/08 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请案涉及用于相对于较少掺杂二氧化硅选择性移除较多掺杂二氧化硅的方法。一些实施例包含一种形成具有第一含二氧化硅材料和第二含二氧化硅材料的组合件的方法。所述第一含二氧化硅材料在其中具有比所述第二含二氧化硅材料更高浓度的掺杂剂。使用包含氢氟酸、第二酸和有机溶剂的混合物相对于所述第二含二氧化硅材料选择性地移除所述第一含二氧化硅材料。所述有机溶剂可包含至少一种酯及/或至少一种乙醚。所述第二酸可具有小于约5的pKa。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 相对于 较少 掺杂 二氧化硅 选择性 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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