[发明专利]半导体装置及半导体电路有效
| 申请号： | 202010020268.7 | 申请日： | 2020-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN112542512B | 公开（公告）日： | 2023-08-18 |
| 发明（设计）人： | 岩鍜治阳子;末代知子;河村圭子 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/423 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 刘英华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 实施方式提供能够实现开关损耗的降低的半导体装置及半导体电路。实施方式的半导体装置具备：具有多个第1沟槽和多个第2沟槽的半导体层、第1沟槽中的第1栅极电极、第2沟槽中的第2栅极电极、第1栅极电极焊盘、第2栅极电极焊盘、将第1栅极电极焊盘与第1栅极电极连接的第1布线及将第2栅极电极焊盘与第2栅极电极连接的第2布线，半导体层具有第1连接沟槽，从多个第1沟槽选出的相邻的2个第1沟槽在各自的端部通过第1连接沟槽而连接，多个第2沟槽内的至少1个第2沟槽设置于相邻的2个第1沟槽间，至少1个第2沟槽中的第2栅极电极在相邻的2个第1沟槽间与第2布线电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 电路 | ||
【主权项】：
暂无信息
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