[发明专利]一种实现eGaN HEMT并联动态均流的耦合电感栅极驱动电路有效

专利信息
申请号: 202010020445.1 申请日: 2020-01-09
公开(公告)号: CN111355361B 公开(公告)日: 2021-05-25
发明(设计)人: 汪文璐;秦海鸿;彭子和;修强;龚佳燕;刘奥;柏松 申请(专利权)人: 南京航空航天大学;中国电子科技集团公司第五十五研究所
主分类号: H02M1/088 分类号: H02M1/088;H03K17/687
代理公司: 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 代理人: 吴旭
地址: 210016 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种实现eGaN HEMT并联动态均流的耦合电感栅极驱动电路,包括连接在正向供电电源与负向供电电源之间的电压图腾柱结构单元,与电压图腾柱结构单元连接的耦合电感驱动单元,耦合电感驱动单元包括第一驱动电阻、第一二极管、第二驱动电阻、第二二极管以及第一耦合电感和第二耦合电感。耦合电感驱动电路通过第一耦合电感副边连接到第二功率管的栅极,通过第二耦合电感副边连接到第一功率管的栅极,第一功率管和第二功率管并联。此种驱动电路通过耦合电感给栅极提供补偿信号,在满足eGaN HEMT高速开关的同时实现并联动态均流。
搜索关键词: 一种 实现 egan hemt 并联 动态 耦合 电感 栅极 驱动 电路
【主权项】:
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