[发明专利]晶体硅太阳能电池片背电场结构

摘要

本发明公开一种晶体硅太阳能电池片背电场结构，其包括有铝浆覆盖形成的铝背场和银浆铺设形成的背电极，该背电极包括有复数个彼此竖向间隔设置的主线段和连接于相邻主线段之间的连接段，该连接段宽度小于主线段宽度，且各连接段分别由铝背场覆盖隐藏，主线段端部及两侧分别与铝背场相连。因此，通过将背电极采用分段露出及埋藏式设计，使背电极局部被铝背场100%覆盖，实现完全导通，解决了传统电池片因印刷偏移或铝背场烧结后收缩引起电池片分切后的电性能问题。同时该背电极相对于传统背电极面积更小，减少了银浆的使用量，降低了电池片的生产成本，同时更加环保。