[发明专利]目标版图的修正方法及掩膜版版图的形成方法在审
申请号: | 202010023431.5 | 申请日: | 2020-01-09 |
公开(公告)号: | CN113109991A | 公开(公告)日: | 2021-07-13 |
发明(设计)人: | 王健;张迎春 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
主分类号: | G03F1/72 | 分类号: | G03F1/72;G03F1/76;G03F7/20 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 徐文欣 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种目标版图的修正方法、掩膜版版图的形成方法及其掩膜版,修正方法包括:提供初始目标版图,所述初始目标版图包括若干初始图形;对所述初始目标版图进行模拟曝光获取模拟曝光版图,所述模拟曝光版图上具有若干与初始图形对应的模拟曝光图形,所述模拟曝光版图包括沿第一方向排列的若干修正区;在至少一个所述修正区的模拟曝光图形中获取目标图形;获取所述目标图形对应的修正区的修正规则;通过所述修正规则对所述目标图形进行修正,获取修正图形。所述修正方法得到的掩膜版版图修正效果较好,精度较高。 | ||
搜索关键词: | 目标 版图 修正 方法 掩膜版 形成 | ||
【主权项】:
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
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G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备