[发明专利]存储电路及其读取方法和恢复方法在审
| 申请号： | 202010023434.9 | 申请日： | 2020-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN113096702A | 公开（公告）日： | 2021-07-09 |
| 发明（设计）人： | 刘盼盼;张海洋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16;G11C11/18;G11C11/409;G11C16/08 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种存储电路及基于所述存储电路的存储方法和恢复方法，所述存储电路包括：易失性存储单元，所述易失性存储单元包括第一节点和第二节点；自旋轨道动量矩磁存储器，所述自旋轨道动量矩磁存储器包括自旋霍尔效应层、第一磁性隧道结和第二磁性隧道结，所述自旋霍尔效应层包括第一端和第二端；开关组件，所述开关组件使所述第一端分别耦合于所述第一节点与所述第二节点，并且所述开关组件使所述第一磁性隧道结与所述第一节点耦接，使所述第二磁性隧道结与所述第二节点耦接。所述存储电路能够减少存储器的成本并且提高存储器的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 电路 及其 读取 方法 恢复 | ||
【主权项】：
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