[发明专利]半导体结构的形成方法在审
| 申请号： | 202010026387.3 | 申请日： | 2020-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN113113349A | 公开（公告）日： | 2021-07-13 |
| 发明（设计）人： | 李强;苏波 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 吴凡 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体结构的形成方法，形成方法包括：提供基底；在基底上形成图形材料层；对图形材料层进行多次凹槽形成步骤，依次在图形材料层的多个位置形成凹槽，剩余的图形材料层作为图形层，凹槽形成步骤包括：在图形材料层上形成掩膜层，掩膜层包括第一掩膜层和位于第一掩膜层上的第二掩膜层，第二掩膜层具有开口；以第二掩膜层为掩膜，刻蚀图形材料层，在图形材料层中形成凹槽；位于图形材料层顶面的第一掩膜层作为保护层；去除第二掩膜层；形成图形层后，去除保护层。本发明实施例，形成图形层后，去除保护层，从而图形层顶面与所有的凹槽侧壁交界区域的材料只受到一次损伤，因此凹槽侧壁顶部的倒角较小，有利于优化半导体结构的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
