[发明专利]一种提拉法制备高纯单晶锗的装置及方法在审
| 申请号： | 202010028713.4 | 申请日： | 2020-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN111074346A | 公开（公告）日： | 2020-04-28 |
| 发明（设计）人： | 田庆华;李俊;郭学益;李栋;许志鹏 | 申请（专利权）人： | 中南大学 |
| 主分类号： | C30B29/08 | 分类号： | C30B29/08;C30B15/14;C30B15/20;C30B15/30 |
| 代理公司： | 长沙朕扬知识产权代理事务所(普通合伙) 43213 | 代理人： | 刘向丹 |
| 地址： | 410083 *** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种提拉法制备单晶锗的装置及方法，该装置包括腔内设有坩埚的锗单晶生长炉，坩埚周围设有加热装置，加热装置在单晶提拉方向的截面形状为“”形对称结构，将坩埚包围在中间，加热装置分为上部加热器和下部加热器，上部加热器和下部加热器的夹角为110°～160°，上部加热器和下部加热器内均设置有由上到下均布的若干个高频涡流感应线圈，以控制单晶周围温度场的轴向和径向梯度。本发明装置可以根据生产需要对制备单晶锗过程调控，具有极高的操作灵活性和自动化潜力。本发明所制备得到的晶体结晶性能良好，晶体无开裂、位错、气泡、夹杂、散射等缺陷，单晶重复率较高，达到了良好的长晶效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 法制 高纯 单晶锗 装置 方法 | ||
【主权项】：
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