[发明专利]自对准局部互连在审
| 申请号： | 202010031587.8 | 申请日： | 2020-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN111564428A | 公开（公告）日： | 2020-08-21 |
| 发明（设计）人： | A·D·利拉克;E·曼内巴赫;A·潘;R·申克尔;S·A·博亚尔斯基;W·拉赫马迪;P·莫罗;J·比勒费尔德;G·杜威;H·载允;N·卡比尔 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L23/535 | 分类号： | H01L23/535;H01L23/538;H01L23/48;H01L21/768;H01L27/02 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 邬少俊 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在一些实施例中，通过使用倾斜蚀刻以去除材料从而暴露相邻导体的一部分来形成半导体器件结构。然后，在形成接触部或其它导电结构(例如，和互连)期间，在去除材料时形成的空间可以被一种或多种导电材料填充。以此方式，接触部形成还填充了空间以形成倾斜的局部互连部分，该局部互连部分连接相邻的结构(例如，源极/漏极接触部到相邻的源极/漏极接触部，源极/漏极接触部到相邻的栅极接触部，源极/漏极接触部到也连接到栅极/源极/漏极接触部的相邻器件级导体)。在其它实施例中，在本文中被称为“拼合过孔”的互连结构从导电结构的横向相邻的外围表面建立电连接，所述导电结构并不彼此同轴、同心地对准。 | ||
| 搜索关键词： | 对准 局部 互连 | ||
【主权项】：
暂无信息
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