[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202010031679.6 | 申请日： | 2015-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN111463264A | 公开（公告）日： | 2020-07-28 |
| 发明（设计）人： | 森诚悟;明田正俊 | 申请（专利权）人： | 罗姆股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/16 | 分类号： | H01L29/16;H01L29/739;H01L29/78;H01L27/06 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 何欣亭;陈岚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的半导体装置，包括：由第1导电型的SiC构成的半导体层；在所述半导体层的表面部形成多个并分别构成单位单元的第2导电型的主体区域；形成在所述主体区域的内侧的第1导电型的源极区域；隔着栅极绝缘膜而与所述主体区域对置的栅极电极；在所述半导体层的背面部相邻地形成的第1导电型的漏极区域及第2导电型的集电极区域；以及所述主体区域与所述漏极区域之间的漂移区域，所述集电极区域以在沿着所述半导体层的表面的X轴上覆盖至少包含两个所述单位单元的区域的方式形成。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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