[发明专利]用于多晶片图像传感器的DRAM和逻辑单元之间的可配置接口对准缓冲器有效

专利信息
申请号: 202010032920.7 申请日: 2020-01-13
公开(公告)号: CN111435977B 公开(公告)日: 2021-09-17
发明(设计)人: 秦晴;柳勋;丁台衡 申请(专利权)人: 豪威科技股份有限公司
主分类号: H04N5/378 分类号: H04N5/378
代理公司: 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 代理人: 宋融冰
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 图像传感器具有被配置在多个块中的像素的阵列;每个块耦合到单独的模数转换器(ADC),以提供数字化的图像数据。ADC将数字化的图像馈送到图像RAM中;并且图像RAM以第一像素次序将数字化的图像馈送到对准缓冲器。对准缓冲器以不同于第一像素次序的第二像素次序将数字化的图像提供给图像处理器。在实施例中,对准缓冲器使用多端口RAM。在另一个实施例中,对准缓冲器使用第一对准缓冲器RAM和第二对准缓冲器RAM,在读取另一个对准缓冲器RAM的同时写入一个对准缓冲器RAM以将图像数据提供给图像处理器。在实施例中,对准缓冲器以在全分辨率和降低分辨率次序之间可选择以及在从右到左和从左到右次序之间可选择的次序来提供数字化的图像。
搜索关键词: 用于 多晶 图像传感器 dram 逻辑 单元 之间 配置 接口 对准 缓冲器
【主权项】:
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