[发明专利]一种硅片清洗工艺在审
| 申请号： | 202010033475.6 | 申请日： | 2020-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN111199874A | 公开（公告）日： | 2020-05-26 |
| 发明（设计）人： | 袁祥龙;刘园;武卫;孙晨光;刘建伟;由佰玲;常雪岩;谢艳;杨春雪;刘秒;裴坤羽;祝斌;刘姣龙;王彦君;吕莹;徐荣清 | 申请（专利权）人： | 天津中环领先材料技术有限公司;中环领先半导体材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;B08B3/04;B08B3/08 |
| 代理公司： | 天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 12213 | 代理人： | 栾志超 |
| 地址： | 300384 天津市滨海*** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种硅片清洗工艺，其包括依次进行的强氧化性溶液清洗、酸性溶液清洗、纯水清洗，强氧化性溶液可与硅表面反应生成一层氧化硅薄膜，与硅片表面的金属离子反应生成金属氧化物，所述酸性溶液可与上述金属氧化物反应生成盐，上述氧化硅薄膜可与酸性溶液反应而被去除，纯水可将附在硅片表面的清溶液清洗干净，如此，本发明不但能清洗掉附着于硅片表面的颗粒物，还能清洗掉硅片表面的微观离子，从而经本发明清洗工艺清洗过的硅片表面洁净度高、性能好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅片 清洗 工艺 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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