[发明专利]一种晶圆级过渡金属硫属化合物单晶生长的方法

摘要

本发明公开了一种晶圆级过渡金属硫属化合物单晶生长的方法，所述方法包括以下步骤：1)将金箔置于钨箔上，熔融后固化，得到单晶金(111)；2)将过渡金属氧化物粉末放置在金(111)/钨基底正下方；3)将硫属单质放置于基底的上游；4)通入氩气，将基底和硫属单质分别加热至不同温度，之后恒温，数分钟后在基底上生长得到单一取向的单层过渡金属硫属化合物，延长时间即可得到晶圆级单晶过渡金属硫属化合物单层薄膜。本发明以金(111)作为生长基底，外延生长单晶过渡金属硫属化合物薄膜，能够通过控制过渡金属硫属化合物的畴区取向，实现同一取向畴区的无缝拼接，是一种实现晶圆级单层过渡金属硫化物单晶的方法。