[发明专利]一种存储器件的制备方法以及存储器件有效
申请号: | 202010039022.4 | 申请日: | 2020-01-14 |
公开(公告)号: | CN111223871B | 公开(公告)日: | 2023-07-04 |
发明(设计)人: | 付洋;胡思平 | 申请(专利权)人: | 长江存储科技有限责任公司 |
主分类号: | H10B43/35 | 分类号: | H10B43/35;H10B43/27 |
代理公司: | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人: | 李梅香;张颖玲 |
地址: | 430074 湖北省武*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本申请实施例公开了一种存储器件的制备方法以及存储器件,其中,所述方法包括:提供第一晶圆,所述第一晶圆包括用于形成存储单元的正面以及与所述正面相对的背面;刻蚀所述第一晶圆,形成从所述正面延伸至所述第一晶圆内部的第一开孔;在所述正面上形成第一绝缘层,所述第一绝缘层填充所述第一开孔;刻蚀所述第一绝缘层,形成贯穿所述第一绝缘层的第二开孔,所述第二开孔在所述第一晶圆上的正投影位于所述第一开孔内,所述第二开孔的侧壁通过所述第一绝缘层与所述第一晶圆隔离;在所述第二开孔内形成第一导电层;由所述第一晶圆的背面减薄所述第一晶圆,暴露所述第一导电层以形成贯穿所述第一晶圆的导电通孔。 | ||
搜索关键词: | 一种 存储 器件 制备 方法 以及 | ||
【主权项】:
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