[发明专利]一种高质量多晶金刚石膜制备方法在审
申请号: | 202010040561.X | 申请日: | 2020-01-15 |
公开(公告)号: | CN111118471A | 公开(公告)日: | 2020-05-08 |
发明(设计)人: | 李红东;万琳丰;王旌丞;成绍恒;王启亮;刘钧松;高楠 | 申请(专利权)人: | 吉林大学 |
主分类号: | C23C16/27 | 分类号: | C23C16/27;C23C16/455;C23C16/511;C23C16/56;C30B28/14;C30B29/04;C30B29/64 |
代理公司: | 长春吉大专利代理有限责任公司 22201 | 代理人: | 王恩远 |
地址: | 130012 吉*** | 国省代码: | 吉林;22 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明的一种高质量多晶金刚石膜制备方法,属于多晶金刚石膜生长的技术领域。主要步骤包括低质量自支撑化学气相沉积金刚石膜的生长、高温退火、超声清洗、MPCVD设备中二次生长等。本发明首先通过高速生长过程获得自支撑金刚石膜,然后在高温退火后,继续生长得到高质量膜。该方法可以大幅提高自支撑金刚石膜制备效率,有利于促进金刚石应用的拓展。 | ||
搜索关键词: | 一种 质量 多晶 金刚石 制备 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于吉林大学,未经吉林大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202010040561.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:导电端子
- 下一篇:一种高性能锌钴电池正极及制备方法
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的