[发明专利]面向高频电路应用的抗双节点翻转的D锁存器在审
| 申请号： | 202010041914.8 | 申请日： | 2020-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN111200429A | 公开（公告）日： | 2020-05-26 |
| 发明（设计）人： | 郭靖;杜芳芳 | 申请（专利权）人： | 中北大学 |
| 主分类号： | H03K19/003 | 分类号： | H03K19/003 |
| 代理公司： | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 | 代理人： | 董玉娇 |
| 地址： | 030051 山西省*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | 面向高频电路应用的抗双节点翻转的D锁存器，属于集成电路可靠性中的抗核加固领域。解决传统的抗电荷共享的D锁存器需耗费较多硬件、较大的功耗和面积、以及由于较多的敏感节点，导致严重影响加固性能的问题。本发明包括20个NMOS晶体管N1至N20和12个PMOS晶体管P1至P12，仅仅需要32个晶体管构造D锁存器，降低了D锁存器的面积及功耗开销；且输入信号D可直接通过晶体管N20和P12构造的传输门传输到输出信号D的输出端，因此，传输延时也被降低。本发明适用于在高频电路中应用，特别适用于在航空航天、宇航飞行、核电站等具有核辐射效应中。 | ||
| 搜索关键词： | 面向 高频 电路 应用 节点 翻转 锁存器 | ||
【主权项】：
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