[发明专利]一种金属-氧化物半导体场效应晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 202010045814.2 | 申请日： | 2020-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN111540783B | 公开（公告）日： | 2023-09-26 |
| 发明（设计）人： | 张雪;林子平;李刘中;安金鑫;肖守均 | 申请（专利权）人： | 重庆康佳光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L21/768 |
| 代理公司： | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人： | 刘文求;王永文 |
| 地址： | 402760 重庆市璧*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明提供一种金属‑氧化物半导体场效应晶体管及其制备方法，其中，所述方法包括步骤：在金属‑氧化物半导体场效应晶体管本体表面依次沉积介电层和硼磷掺杂介电层；对所述介电层和硼磷掺杂介电层进行刻蚀处理，在所述介电层和所述硼磷掺杂介电层表面形成上宽下窄的通孔，使所述金属‑氧化物半导体场效应晶体管本体的表面通过所述通孔露出源极、漏极以及栅极，制得所述金属‑氧化物半导体场效应晶体管。本发明通过在介电层和硼磷掺杂介电层上制备出呈现上宽下窄形状的通孔，从而增加所述通孔的宽度，以通孔的极限填充能力，增强金属‑氧化物半导体场效应晶体管的导电性能，同时也便于引出金属导线。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金属 氧化物 半导体 场效应 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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