[发明专利]半导体激光元件及其制造方法在审
| 申请号： | 202010046290.9 | 申请日： | 2020-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN111446621A | 公开（公告）日： | 2020-07-24 |
| 发明（设计）人： | 中津嘉隆 | 申请（专利权）人： | 日亚化学工业株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/20 | 分类号： | H01S5/20;H01S5/22;H01S5/343 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张思宝 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供半导体激光元件，能够降低吸收损失从而能够提高效率。半导体激光元件朝向上方依次具有各自由氮化物半导体构成的n侧半导体层、活性层和p侧半导体层，在p侧半导体层设有向上方突出的脊。p侧半导体层具有：未掺杂的第一部分，其与活性层的上表面相接地配置，并具有一个以上的半导体层；电子屏障层，其与第一部分的上表面相接地配置，带隙能量比第一部分大，并含有p型杂质；第二部分，其与电子屏障层的上表面相接地配置，并具有一个以上的p型半导体层，p型半导体层含有p型杂质。第一部分具有：未掺杂的p侧成分倾斜，其层带隙能量随着朝向上方而变大；未掺杂的p侧中间层，其配置于p侧成分倾斜层的上方；脊的下端位于p侧中间层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 激光 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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