[发明专利]半导体装置及半导体电路在审
| 申请号： | 202010050387.7 | 申请日： | 2020-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN112542513A | 公开（公告）日： | 2021-03-23 |
| 发明（设计）人： | 末代知子;岩鍜治阳子 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L27/07;H01L29/06 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 刘英华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 实施方式提供具有IGBT和二极管并能够缩小芯片尺寸的半导体装置及半导体电路。半导体装置具备：半导体层，具有第1导电型的第1半导体区域、第2导电型的第2半导体区域、第2导电型的第3半导体区域、第1导电型的第4半导体区域、第2导电型的第5半导体区域、第1导电型的第6半导体区域、第1沟槽和第2沟槽；第1沟槽中的第1栅极电极；第2沟槽中的第2栅极电极；第1面侧的第1电极；第2面侧的第2电极；与第1栅极电极连接的第1电极焊盘；与第2栅极电极连接的第2电极焊盘，该半导体装置具有包含第1半导体区域的第1区域、包含第2半导体区域的第2区域及设置于第1区域与第2区域之间且与第1区域相比第2沟槽的密度更高的第3区域。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 电路 | ||
【主权项】：
暂无信息
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