[发明专利]一种具有集成续流二极管的GaN纵向场效应晶体管

摘要

本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种具有集成续流二极管的GaN纵向场效应晶体管。在反向续流时，集成二极管导通，具有低的导通压降及快的反向恢复特性。在正向导通时，集成二极管处于关断状态，不影响场效应晶体管的正向导通。在正向阻断时，由于P阱及上方半导体区对栅介质的保护，有效降低栅介质电场，提高栅介质可靠性，因此器件具有更高的击穿电压。由于P阱及上方半导体区的屏蔽作用，本发明具有更低的栅漏交叠电容，因此具有更小的开关损耗，同时可以防止误开启。相比传统平面栅场效应晶体管，本发明没有占用额外的芯片面积。