[发明专利]一种具有集成续流二极管的纵向GaN MOS有效

专利信息
申请号: 202010051717.4 申请日: 2020-01-17
公开(公告)号: CN111146292B 公开(公告)日: 2021-05-14
发明(设计)人: 罗小蓉;孙涛;欧阳东法;郗路凡;杨超;邓思宇;魏杰;张波 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: H01L29/78 分类号: H01L29/78
代理公司: 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 代理人: 孙一峰
地址: 611731 四川省*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明属于功率半导体技术领域,涉及一种具有集成续流二极管的纵向GaN MOS。集成的二极管在源极电压为0时,利用源电极金属与GaN半导体之间功函数差耗尽集成的二极管阳极和阴极之间的导电沟道,实现二极管的关断。在反向续流时,源电极所加电压大于电压临界值后,耗尽区变窄,集成的二极管导通;当源极电压进一步增大,凸出部分的漂移区侧壁开始出现高浓度电子积累层。相比与纵向GaN MOS寄生的体二极管,集成的二极管具有低的开启电压、低的导通压降及快的反向恢复特性。在正向导通或者正向阻断时,集成的二极管处于关断状态,不影响纵向GaN MOS的导通及耐压特性。相比传统平面栅纵向GaN MOS,本发明没有占用额外的芯片面积。
搜索关键词: 一种 具有 集成 二极管 纵向 gan mos
【主权项】:
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