[发明专利]一种多芯片封装结构和提高多芯片ESD的封装方法有效
| 申请号： | 202010055080.6 | 申请日： | 2020-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN111244085B | 公开（公告）日： | 2022-11-29 |
| 发明（设计）人： | 马树永 | 申请（专利权）人： | 伟芯科技（绍兴）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L25/04;H01L21/50 |
| 代理公司： | 北京酷爱智慧知识产权代理有限公司 11514 | 代理人： | 向霞 |
| 地址： | 312099 浙江省绍兴市越城区*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多芯片封装结构和提高多芯片ESD的封装方法，该多芯片封装结构包括封装体和所述封装体内的n个芯片，其中，每一所述芯片均包括ESD电路,所述n个芯片均包括放电接口，各芯片的ESD电路与自身的放电接口连接后，再将各芯片的放电接口按预设顺序连接，以形成ESD保护电路；其有益效果是：利用将芯片的放电接口按预设顺序连接，以形成的ESD保护电路，形成整个封装的ESD保护结构，为芯片与芯片之间提供了放电路径，以提高多芯片封装后的ESD防护性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 芯片 封装 结构 提高 esd 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
