[发明专利]半导体设备恢复方法有效
| 申请号： | 202010061707.9 | 申请日： | 2020-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN111261555B | 公开（公告）日： | 2023-05-16 |
| 发明（设计）人： | 国唯唯 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;张天舒 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体设备恢复方法，包括：清洁步骤，向反应腔室内通入第一工艺气体，将所述第一工艺气体激发成等离子体，以清除所述反应腔室的内壁及介质窗上的残留副产物；恢复步骤，向所述反应腔室内通入第二工艺气体，将所述第二工艺气体激发成等离子体；所述第二工艺气体用于对所述反应腔室内的涂有光胶掩膜的基片进行刻蚀，以在所述反应腔室的内壁及所述介质窗上形成附着层。应用本发明，可有效减少副产物颗粒的掉落，预防后续晶片刻蚀过程中，由于副产物掉落导致的晶片表面产生颗粒污染等问题，从而提高晶片的表面质量，同时可保持刻蚀腔室的长期稳定，有效延长反应腔室及机台的平均维护周期。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体设备 恢复 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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