[发明专利]半导体存储装置有效
| 申请号： | 202010066488.3 | 申请日： | 2020-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN111583981B | 公开（公告）日： | 2023-08-22 |
| 发明（设计）人： | 太田健介;斋藤真澄;佐久间究 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00;G11C5/06;H10B63/00 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 张轶楠;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 实施方式提供提高了可靠性的电阻变化型半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具有：第1布线，其在第1方向上延伸；多条第2布线，其在与所述第1方向交叉的第2方向上延伸，沿所述第1布线在所述第1方向上排列；以及多个存储膜，其设置在所述第1布线与所述多条第2布线之间。从所述第1布线的作为所述第1方向上的一侧的第1电压供给侧供给对于所述存储膜写入以及读出数据所需要的电压。所述多个存储膜包括第1存储膜和第2存储膜，所述第2存储膜配置在比所述第1存储膜离所述第1电压供给侧远的位置。所述第2存储膜与所述第1布线的连接面积比所述第1存储膜与所述第1布线的连接面积大。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
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